NCD33Q
类别:
NCD33Q 是一款多功能产品，由正转负芯片、负压偏置芯片、驱动器芯片和 PMOS 管芯片组成，可以为 GaN 功率放大器提供-1V~-3.5V 可调的栅压，并根据需要对漏压进行调制，具有 6A 的带载能力。该芯片具有负控正能力，能够控制 GaN 功率放大器的上电顺序，并能实现上电延迟时间可调，且该延迟时间可通过调节 CAP 引脚的外接电容大小来实现。产品尺寸：10 mm×10 mm×0.75mm。
产品介绍
性能特点
● 工作温度：-55℃~+125℃
● 正转负电源电压：+5V
● 高电源电压：+28V
● 栅端输出电压范围：-1V~-3.5V
● 漏端最大负载电流：6A
● 负控正延迟时间可调
● 最高频率可达 100KHz1)
应用领域
● 为 GaN 功放提供栅压和漏压
产品简介
NCD33Q 是一款多功能产品，由正转负芯片、负压偏置芯片、驱动器芯片和 PMOS 管芯片组成，可以为 GaN 功率放大器提供-1V~-3.5V 可调的栅压，并根据需要对漏压进行调制，具有 6A 的带载能力。该芯片具有负控正能力，能够控制 GaN 功率放大器的上电顺序，并能实现上电延迟时间可调，且该延迟时间可通过调节 CAP 引脚的外接电容大小来实现。产品尺寸：10 mm×10 mm×0.75mm。
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